正在风光秀丽的元大都遗址公园北侧，一座高耸的现代化建建悄悄矗立，金的魏碑体大字将单元的名称鲜明雕刻正在园区大门一侧的围墙上。本年，是中国科学院微电子研究所建所50周年。正在履历了若干个从无到有、从小到大的成长过程之后，几代创业者心血浇灌的事业逐步凝结成一种对国度、对人平易近的庄沉许诺：正在国度需求中降生，为国的明天而奉献！上世纪40年代末，国际上半导体学科起头兴起，并逐步成长成为一个完整的电子工业系统。我国于1956年制定的国度十二年科学手艺成长规划将半导体学科列入此中。中国科学院使用物理所紧跟世界前沿手艺和国度科技成长方针，于昔时起头动手研发半导体高频晶体管。处于开国初期的新中国严沉贫乏手艺储蓄，正在王守武、王守觉和林兰英等专家的间接指点、参取下，于1958年研制出百兆的高频合金扩散晶体管。这项冲破性的科研，填补了国内没有半导体晶体管的空白，为研制晶体管计较机零件奠基了根本。1958年，和国务院做出了研制“两弹一星”和半导体晶体管计较机的严沉计谋决策。并将此项使命交给了国内独一具有该项手艺的中国科学院使用物理所。1958年8月，为研制109计较机，我国第一个半导体器件出产厂成立，定名为109厂，做为电子计较机、电子配备等系统半导体器件和集成电研制出产中试厂。109厂正在其成立、成长的过程中，承担了大量沉点使命，研制出产的半导体器件和集成电，普遍使用于我国大型计较机和各类电子设备中。全厂干部职工连合二心、艰辛奋斗、勤于进修、怯于摸索，霸占了很多手艺，填补了诸多空白，为国的半导体事业打下了的根本。109厂建厂初期，半导体专业人才匮乏，仅有从美国归来的王守武、林兰英和国内的王守觉等几名专家和少少数科技，更没有出产半导体晶体管的手艺工人。针对此种情况，中国科学院一方面向提出申请，调来一批部队复员改行甲士，做为工场的步队；另一方面，将从处所招收的一批初中高中结业生送到正在西苑新开办的科技学校，进行短期培训。以这两部门人员为根本，组建成近200人的109厂。从建厂到1960年10月，仅用了两年时间，就完成使命，共研制出产了及格的锗二极管、三极管计12个品种、14。5万多只，为“109乙”机进行拆卸调试供给了主要，为新中国第一台锗晶体管计较机“109乙”机的研制成功做出了主要贡献。1959年，地方、贺龙、陈赓、张爱萍等先后两次视察109厂。109厂的次要工程手艺担任人遭到其时副、长彭德怀元帅的亲热，并一路合影留念。中国科学院院长郭沫若赞扬说：“有了109（厂），中国就（起头）有半导体事业了。”地方带领的关怀和院带领的必定，使109厂科技人员和职工深受鼓励，愈加果断了超卓完成国度使命的决心。正在履历了三年天然灾祸坚苦期间之后，1963年，夫副院长来厂查抄工做，决定将109厂的人员编制扩充至600人。昔时，109厂从多所高档学校接收了50余名半导体专业结业生充分科技步队。此批科技的插手，缓解了工场人才严沉缺乏的情况，强大了手艺力量，并且促使工艺手艺获得了提高，催生了很多和立异，推进了新工艺设备的研制和使用。“109乙”机于1965年5月研制成功并通过国度级判定，它是我国第一台自行设想、自行研制的大型通用锗晶体管计较机。做为取计较所的合做，该机的研制成功荣获1978年全国科技大会及中国科学院严沉科技。“109丙”机于1967年9月研制成功并通过国度级判定，它是我国第一台硅晶体管计较机。这两种计较机的研制成功，标记着我国计较机事业进入了新的成长阶段。上世纪50年代末，中国科学院受国度相关部委的委托，研制出产公用的微型数字计较机，科学院决定从计较所、物理所、该项使命获得了中国科学院带领的鼎力支撑。1965年8月8日，中国科学院正在科学礼堂召开关于“156”工程研制工做和“156”工程后方扶植的专题会议，由夫亲身掌管。会议对整个工程进度的要求是：1966年研制出“156”模子机，1967年完成初样，1968年完成正样，1969年起头批量出产8台。正在前期筹备的根本上，1965年8月，109厂集中组织力量投入这项使命。正在4个多月的持续奋和后，1965年12月28日，109厂提前完成了第一台模子机所需的集成电和晶体管芯片等使命，向“156”工程处供给了10个品种夹杂电1000多块、硅晶体管管芯2000多个。1966年8月，我国第一台自行设想、用于空间手艺的集成电计较机研制成功，国庆节前向国务院报喜，获得了总理的表彰。为了使零件能承受太空（-45℃~ +85℃温度范畴）和储存5年的要求，手艺人员做了很多试验，于1967年起头供给零件用电。到1970年8月，109厂共完成了8台“156”计较机所需的夹杂单块集成电3万余块及晶体管芯片4万余个。取此同时，受中国科学院从动化所委托，为541机研制和出产了NPN平面型低频功率开关管、闸流管等器件。1967年10月至1975年7月，是109厂完成国度使命最多的阶段，先后为十几个工程使命研制出产晶体管DTL低速集成电、TTL中速集成电、低频引信集成电、TTL-F系列低功耗电、STTL-E系列高速集成电、ECL-D系列超速集成电等产物，为这些国度沉点工程使命的成功完成做出了严沉贡献。1975年8月，国务院下达了“757”工程使命。“757”工程是每秒运算万万次的大型向量计较机系统。中国科学院计较所承担计较机系统的设想研制及相关课题的研究工做，109厂次要承担“757”工程从机运控部门及外部设备所需的超高速ECL-D系列和高速STTL-E数字逻辑集成电的研制出产使命。正在“757”工程的攻关中，109厂成立了一套不变而成熟的制制超高速集成电工艺手艺。到1980岁尾，为“757”计较机研制出产了30多个品种、共30余万块ECL和TTL集成电。ECL-D系列超高速数字逻辑集成电1978年获全国科学大会和中国科学院严沉科研。为顺应出产的要求，必需不竭对集成电的研制出产设备进行改革完美，以鞭策行业的手艺前进。1966年，109厂取上海光学仪器厂合做，研制成功我国第一台65型接触式光刻机，由上海无线电公用设备厂进行出产并向全国推广，该机于1978年荣获中国科学院严沉科技。同年，109厂取上海无线厂合做，正在国内起首研制成功超声波铝丝压焊机，由上海无线厂抽调人员成立了上海超声波仪器厂出产该机械供应全国。1969年，109厂曾取丹东细密仪器厂合做，研制成功全从动步进反复机，套刻精度达3微米，后由700厂批量出产，供应全国利用。1973年，109厂取建建材料设想院、安徽蚌埠净化设备厂结合研制成功一套（共12种）干净度达100级的半导体集成电出产线公用局部空气净化设备，1974年投入利用。这是我国第一台用于半导体器件出产的公用净化设备，正在国内没有大面积净化厂房的年代，这套设备对我国半导体事业的成长起到了庞大感化。该设备于1978年荣获全国科学大会和中国科学院严沉科技。从上世纪50年代到80年代，109厂为上海元件五厂、山东济南半导体厂、陕西西安“324”工程、“156”工程、河南新乡713厂、半导体器件厂、半导体厂、沉庆仪表四厂、湖北襄樊市半导体厂等单元培育、输送了多量优良人才，无效地推进了国内相关财产的成长。上世纪80年代中叶，我国国内曾经确立了、国平易近经济成长三步走的计谋方针，进入从打算经济向社会从义市场经济改变的汗青阶段。抓住机缘，深化，从旧有体系体例中脱颖而出，推进国平易近经济的快速成长，成为国立研究、使用机构的必然选择。1985年12月，经中国科学院决定，并报国度科委批复，109厂取半导体所、计较所等研制大规模集成电部门相关单元归并，成立中国科学院微电子核心。微电子核心成立以来，持久面向国度微电子范畴持续成长的严沉科技需求，进行微电子学、超细微和超薄手艺、计较机辅帮集成电设想研究；承担和完成了多项国度沉点项目，获得国度、中国科学院和其他部级数十项；成为微电子科技范畴一个不成替代的科研和学问、手艺立异的主要泉源，为我国微电子及相关财产的持续成长做出了应有的贡献。其间，核心按照中国科学院摆设，进行斗胆，使科研、出产体系体例逐步改变，使单元焕发了重生。1992年1月18日~2月21日，正在视察武昌、深圳、珠海、上海等地时，颁发出名的“南方谈话”，把我国的和现代化扶植推进到新的阶段。我国天然科学手艺的成长面对庞大的汗青机缘和挑和。中国科学院于1992年6月20日，向国务院报送《关于中国科学院进行分析配套的报告请示提纲》，国务院于1993年2月15日正式核准该方案，科学院的从单项推进到了分析配套、全面系统的新阶段。正在这种汗青布景下，微电子核心正在馨从任和党政带领班子的率领下，决定进一步深化办理，1992年8月，通过了微电子核心办理方案，10月，中科院研究所试点带领小组对方案批复同意实施，并指出：“对你们充实认识到加速程序的需要性取火急性，自动坐正在的前列的暗示支撑。”并但愿微电子核心正在过程中“解放思惟，斗胆，怯于立异”。此次办理的次要办法是：实行内部手艺和经济方针义务制，进行成本核算，内部门派轨制，调拾掇顺运转机制，优化步队布局；健全公允合作的聘用制；成立高效率科研、出产的办理系统。颠末几年的，承担国度和科学院攻关使命共42项，获科研31项，此中国度严沉手艺配备一等1项（加入单元），院科技前进二等4项，三等5项；产物开辟取出产全面亏本，经济效益逐年上升；根基扶植和手艺取得新成绩。办理取得的庞大成功使微电子核心分析实力显著加强，面孔面目一新，对我国微电子研究、开辟和出产等方面都做出了应有的贡献，也为核心成为首批进入学问立异工程试点单元打下了根本。1999年7月16日，中科院发文《关于微电子核心学问立异工程试点方案的批复》，核准微电子核心首批进入学问立异工程试点单元。从此，微电子核心正式启动学问立异试点一期工程。按照中国科学院对学问立异工程的总体要求，微电子核心对科研项目结构进行了调整并再次实施了机关办理机构的，正在办事机构转制、人员分流等方面做了大量的工做。此后的几年中，做为中国科学院学问立异工程的试点单元，微电子核心按照国度和行业成长的需求再次对研究标的目的进行了凝练，次要正在以下七个方面取得了进展：一是深亚微米集成电环节工艺手艺，通过试点研究，构成一组具有自从学问产权并规范化的新工艺模块。如金属硅化物，薄栅氧化等支流工艺模块，为国度急需的高档公用集成电开辟办事。二是特种SOI/CMOS集成电手艺。该项目操纵研究成功的特种集成电设想取制制手艺，研制出一批特种公用集成电，满脚了国内多方面的需要。三是基于“IP”库的公用集成电设想，通过该项目标研究，建成基于0。5/0。35m IC工艺的IP库，控制基于“IP”库的ASIC设想方式，面向用户，设想开辟出通信、计较机外设及家电等范畴内急需的十万到百万门规模的公用集成电，正在设想周期上实现了取国际接轨。四是高机能公用集成电设想。通过该项目标实施，研究成功高机能IC设想方式及单位库，并按照用户需求，设想开辟高机能DSP芯片及其他 公用IC芯片。五是深亚微米微细加工手艺。该项目研究成功成套亚50nm的微细加工手艺，并成功使用到纳米标准CMOS器件、新布局化合物半导体器件、毫米波器件及声概况波器件的研制。研究获得国度发现二等和市科技前进一、二等，对提高我国top-down 纳米加工的国际影响力有主要意义，同时对建立我国自从学问产权纳米加工专利库奠基了优良根本。六是化合物半导体器件取电。该项目操纵研制成功的光通信用化合物半导体器件取环节功能集成部件，为光纤通信和无线通信财产的成长做出了贡献。七是微电子新设备和新手艺的研究，推广“八五”和“九五”国度沉点科技攻关相关深亚微米刻蚀手艺的并自从立异之，不竭研发先辈的等离子体微细加工（ICP / PECVD / SPUTTER等）新设备和新手艺，为我国半导体取集成电的科研出产办事。1993年，地方局委员、国务院副总理正在中国科学院院长周光召等带领同志的伴随下，视察了微电子核心，并题词：“艰辛创业多，再接再励志气高，科技产销连系紧，开辟前进益宽。”他勉励微电子核心要阐扬科研、出产相连系的劣势，进一步面向市场，加快科技的，为我国的微电子事业做出新的贡献。